TF1010 enkelväggigt kolnanorörspulver

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, och de amorfa koldefekterna i rörväggen är extremt låga. Den kärndifferentierade indikatorn: den effektiva renheten hos enkelväggiga kolrör är större än eller lika med 98,5 %, betydligt högre än TF1000:s 80 % renhet. Metallaska är gradientstyrd till inom hundra ppm-nivån, katalysatorrester föroreningar reduceras kraftigt, vilket i grunden undviker läckage av halvledarenheter, batterisidoreaktioner och problem med avkänning av signaldrift.

Den sömlösa rörformiga strukturen av enskiktsgrafen kombinerar ballistisk elektronledning, ultrahög elasticitet och ultrastor specifik yta (500–1000 m²/g). Mängden perkoleringstillsats kan vara så låg som 0,03 % för att bilda ett ledande nätverk med full domän, lämpligt för tunnfilmstransistorer med avancerad process på 7 nm och lägre, flexibla logiska kretsar, kisel-kolanoder med hög renhet, lättviktsavskärmning för militär och rymd, ultrahögkänslig spårbiosensibilitetsscenario och andra högkänsliga bioavkänningsscenarier.

Fabriken är utrustad med en komplett uppsättning av högrent material dedikerad testutrustning inklusive högupplöst TEM, Raman-spektroskopi, TGA-termogravimetri och ICP-OES. Varje batch har en komplett uppsättning speciella testrapporter om enväggsinnehåll, metallföroreningar, rördiameter och längd. Endast gram-nivå högrenhetsprover och kilogram-nivå pilotbatcher tillhandahålls till forskningsinstitut, halvledarföretag och ledande solid-state batteritillverkare. Modifierade pulver med hög renhet med amino- och karboxylgrupper kan anpassas för att anpassa sig till dispersion av vatten/organiska lösningsmedel. En fullständig uppsättning RoHS, REACH, högrenhetsrapporter för ICP-föroreningar och säkerhetsdatablad för säkerhetsdatablad är kompletta och uppfyller de stränga standarderna för granskning av materialtillträde för militär och halvledarimport och -export.

Förpackning: Vakuumpåsar av aluminiumfolie, PE-kompositpåsar, tonpåsar, anpassningsbara

År 2022 investerade företaget 50 miljoner RMB för att etablera "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." i Heze, Shandong-provinsen, med en byggnadsyta på 4 000 kvadratmeter. Det är nu ett nationellt högteknologiskt företag med över tio oberoende patent.

Ett andrafas produktions- och FoU-center planeras att byggas 2027. Företaget har godkänt ISO9001 internationell kvalitetssystemcertifiering och har bildat ett avancerat nanomaterialtillverkning och tekniskt servicecenter som täcker hela processen med drift, FoU, pilotproduktion och tillverkning. För närvarande har den kompletta produktionslinjer för kolnanorörspulver, kolnanorörsslam, kolnanorörsmasterbatch, kolnanorörsfiber och kolnanorörsfilm.

Vi har professionell testning och certifiering. För kolnanorör i riktigt nanoskala tillhandahåller Tanfeng-teknologin karaktäriseringsdata för olika modeller, såsom SEM-bilder, AFM-bilder, HRTEM-bilder, Raman-spektroskopi och röntgenpulverdiffraktionsmönster.

Enkelväggsrenhet Större än eller lika med 98,5 %, extremt låg föroreningshalt och diverse rörhalt, anpassning till kraven på halvledarenhetens på/av-förhållande

Jämfört med TF1000:s enväggsrenhet på endast 80 %, tar TF1010 bort flerväggiga kolrör och amorfa kolpartiklar genom flerstegsrening, med olika fasföroreningar som står för mindre än 1,5 %. När den används i tunnfilmsfälteffekttransistorer ökas enhetens på/av-förhållande med mer än 10 gånger, utan läckage eller signalförvrängning orsakad av diverse metallrör, anpassad till forskning och utveckling av 7 nm och lägre avancerade kolbaserade integrerade kretsar.

Tre kvaliteter av ultralåg metallaska tillgängliga, helt löser felproblemet med spårmetalljonmigrering

Ger tre askspecifikationer:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ultralånga orörda rör, extremt låg fyllning utan att blockera ljustransmission

Tio tusen nivåer ultrahögt bildförhållande, ledande tillsatsmängd så låg som 0,03 %, fyllmedelsdosering reducerad med ytterligare 30 % jämfört med TF1000 för samma ledande effekt. Rördiametern är mycket mindre än våglängden för synligt ljus, förbereder transparenta ledande filmer utan grumling och hög transmittans, anpassar sig till massproduktion av vikbara skärmar och genomskinliga fotovoltaiska elektroder.

Ultra-high crystallinity G/D >50, extremt få konstruktionsdefekter i rörväggen, elektrokemisk cykelstabilitet maximerad

Grafenrörsväggar med låg defekt minskar elektrolytgränsytans sidreaktioner. När de används i kisel-kol-anoder och solid-state-batterier, kan de kraftigt undertrycka kontinuerlig SEI-filmförtjockning, med cellcykellivslängden förbättrad med mer än 35 % jämfört med TF1000 enkelväggiga grundläggande, anpassade till långdistansbatterier för avancerade passagerarfordon.

Kan riktningsseparera halvledande enkelväggiga kolrör, kärnsubstrat för flexibla chips med låg effekt

Högren orörda enkelväggiga råmaterial underlättar efterföljande densitetsgradientcentrifugeringsseparation, vilket ger en hög andel halvledande enkelväggiga kolnanorör med hög bärarrörlighet och extremt låg enhetsströmförbrukning, vilket gör dem till kärnråmaterial för nästa generations flexibla lågeffektslogikkretsar och mikroavkänningschips.

Ultrastor specifik yta 500–1000 m²/g, ultrahögkänslig infångning av spårmolekyler

Massiva elektrokemiska aktiva platser, med adsorptions- och igenkänningsförmåga för gaser, biologiska proteiner och spårtungmetallmolekyler som vida överstiger TF1000, anpassar sig till medicinska diagnostiska biosensorer och precisionsdetektionssonder för miljöspår.

Militär- och rymdkompatibelt system med hög renhet, lätt ledande och termiskt ledande integrerad strukturell förstärkning

Lågföroreningar, icke-utfällande formuleringar uppfyller acceptansstandarderna för flyg- och militärelektronikkomponenter. Extremt låg fyllning kan uppnå de tredubbla effekterna av permanent ledningsförmåga, elektromagnetisk skärmning och strukturell förstärkning, vilket kraftigt minskar egenvikten hos satellit- och flygplanskomponenter.

1. Avancerad process kolbaserade halvledare, tunnfilmsfälteffekttransistorer

7 nm och lägre processintegrerade kretsar, flexibla logikchips, mikro-lågeffektavkänningskretsar; ultrahög enkelväggsrenhet säkerställer högt transistorpå/av-förhållande och lågt läckage, och ersätter traditionella kiselbaserade material för forskning och utveckling inom mikro-nanoelektronik efter Moores eran.

2. Militär/Aerospace Ultra-High-Purity lättvikts ledande skärmningskompositmaterial

Lätta elektromagnetiska skärmningshus för satelliter, värmeavledning av flygplan och ledande integrerade paneler, elektroder för militära energilagringsenheter; låga metallföroreningar uppfyller de långsiktiga standarderna för stabil drift i omloppsbanan för militära komponenter.

3. Högkvalitativa silikon-kolanoder, sulfid-helsolid-state strömbatterier

Konduktiva tillsatser dedikerade till kisel-kolanoder för avancerad konsumentelektronik och långdistansbatterier för personfordon; ultralåga föroreningar undertrycker cellsjälvurladdning, ultralånga kolrör buffertar kiselpartikelvolymexpansion, vilket avsevärt förlänger cykellivslängden.

4. Flexibla transparenta ledande filmer med hög överföringsförmåga, vikbara OLED-skärmar

Ersätter knappa ITO-indiumtennoxider, framställer disfria ledande filmer med hög transmittans, anpassning till vikbara pekskärmar, bärbara medicinska EKG-elektroder och genomskinliga strömavtagare för fotovoltaiska celler, med resistansdämpning under 3 % efter tusen böjningar.

5. Ultrahög precision biologiska och miljömässiga spårsensorer

Medicinska proteindetektionssensorer, detektion av giftig gas i atmosfären, övervakningssonder för vattenspår av tungmetaller; ultrastor specifik yta möjliggör spårmolekyligenkänning på ppb-nivå, med detektionskänslighet överlägsen TF1000 basic enkelväggig.

6. University Frontier Ultra-High-Purity Nanomaterial Research Projects

Prover med hög renhet dedikerade till högprecisionslaboratorie-FoU, såsom halvledarskillnadsväggig kiralitetsseparation, avancerade kolbaserade chipmekanismer, solid-state batteri långcykelmekanismer och lättviktskompositmaterial för flygindustrin.

F1: Vilka är skillnaderna i kärnvalet mellan TF1010 enkelvägg med ultrahög renhet och enkelvägg TF1000 enkelvägg, och hur ska halvledarchip välja?

S: TF1000 enkelväggsrenhet är bara större än eller lika med 80 %, lämplig för kisel-kolanoder, vanliga flexibla ledande filmer och konventionell laboratoriebasforskning och -utveckling; TF1010 enkelväggsrenhet är större än eller lika med 98,5 %, med metallaska så låg som inom 100 ppm, och extremt få diverse rör och amorfa kolföroreningar, speciellt för integrerade halvledarkretsar, militär och rymd, bioavkänning med ultrahög precision, high-end batterier med noll, solid-tillståndsscenarier och andra scenarier; för hög stabilitet, lågt läckage och långa cykler måste TF1010 väljas.

F2: Vilka scenarier anpassar sig de tre askspecifikationerna för TF1010 till?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

F3: TF1010 enväggsrenhet på 98,5%, hur mycket förbättring ger det transistorns på/av-förhållande?

S: Eftersom TF1000 innehåller stora mängder flerväggiga rör, är transistorns på/av-förhållande endast 10³–10⁴; TF1010 har extremt få olika fasföroreningar, och efter separation kan på/av-förhållandet för halvledande kolrörsanordningar nå över 10⁷, vilket uppfyller prestandakraven för avancerade processchips.

F4: När TF1010 används i solid-state-batterier, hur mycket kan cellsjälvurladdning minskas jämfört med TF1000?

S: TF1010 metallkatalytiska föroreningar reduceras avsevärt, solid-state cell rumstemperatur lagring 30-dagars kapacitetsdämpning minskas med 40%, och cykellivslängden förbättras med 35%, anpassad till pilotmassproduktion av långdistanssolid-state batterier för biltillverkare.

F5: Är TF1010-pulver svårt att sprida och kan det anpassas till halvledarlitografi som stödjer slurry?

S: Amino högrent modifierat TF1010-pulver kan anpassas, anpassas till litografi-dedikerad dispersion av organiskt lösningsmedel med låg förorening, utan spårmetallutfällning som kontaminerar wafers; vårt företag kan tillhandahålla dispersionsprocesslösningar med låg skjuvning och hög renhet.

F6: Kan TF1010 utfärda särskilda testrapporter för metallföroreningar med hög renhet för export av militär- och halvledarprojekt?

S: Varje batch är försedd med ett oberoende ICP-OES asktestark med hög renhet, som exakt anger restinnehållet av olika katalysatormetaller. En komplett uppsättning RoHS-, REACH- och MSDS-dokument är komplett, och uppfyller tredjepartsrevisioner för militärt och halvledarimport och -exportmaterial.

F7: Vilken transmittans kan TF1010 uppnå vid framställning av transparenta ledande filmer? Finns det disproblem?

S: Filmgenomsläpplighet Större än eller lika med 90 %, grumling<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Populära Taggar: tf1010 enkelväggigt kolnanorörspulver, Kina tf1010 enkelväggigt kolnanorörspulver, tillverkare, leverantörer, fabrik, kol nanorörvatten, kolananorör i vattenbehandling, nanorör i nanoteknik, Verkliga kolananorör, Enstaka väggade kolananorör, Enstaka väggiga kolananorör Swcnts